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量子計(jì)算材料革命:從拓?fù)浣^緣體到二維半導(dǎo)體的技術(shù)躍遷
發(fā)布時(shí)間:2025-06-25
在經(jīng)典計(jì)算領(lǐng)域,硅基芯片制程已逼近物理極限,而量子計(jì)算的核心挑戰(zhàn)則來自量子比特的脆弱性。傳統(tǒng)超導(dǎo)量子比特的相干時(shí)間通常在微秒量級(jí),環(huán)境噪聲導(dǎo)致的退相干現(xiàn)象使得糾錯(cuò)成本呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。以 IBM 的千比特量子計(jì)算機(jī)為例,其邏輯錯(cuò)誤率仍高達(dá) 10^-3,距離容錯(cuò)閾值(10^-4)尚有差距。這種技術(shù)瓶頸迫使研究者將目光投向新型材料體系,試圖通過材料科學(xué)的突破重構(gòu)量子計(jì)算的物理基礎(chǔ)。
拓?fù)浣^緣體作為一種新型量子材料,其內(nèi)部絕緣而表面導(dǎo)電的特性為量子計(jì)算提供了獨(dú)特解決方案。中科院物理所的研究表明,拓?fù)浣^緣體的表面態(tài)具有拓?fù)浔Wo(hù)特性,能夠抑制電子 - 聲子散射,將量子比特的相干時(shí)間提升至毫秒量級(jí)。這種材料的能帶結(jié)構(gòu)由狄拉克方程描述,表面態(tài)電子的運(yùn)動(dòng)遵循手性對(duì)稱性,使得量子比特操作的保真度超過 99.9%。
在實(shí)際應(yīng)用中,拓?fù)浣^緣體與超導(dǎo)體的結(jié)合催生了拓?fù)淞孔颖忍亍?024 年,清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)在 Bi2Se3/Al 異質(zhì)結(jié)中成功觀測(cè)到馬約拉納費(fèi)米子,這種準(zhǔn)粒子的非阿貝爾統(tǒng)計(jì)特性為拓?fù)淞孔佑?jì)算提供了天然容錯(cuò)機(jī)制。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,基于拓?fù)淞孔颖忍氐倪壿嬮T操作錯(cuò)誤率低至 10^-5,較傳統(tǒng)超導(dǎo)量子比特提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
二維材料體系的崛起為量子芯片的小型化與集成化提供了新路徑。中國科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在二硫化鉬(MoS2)量子點(diǎn)器件中實(shí)現(xiàn)了全電學(xué)調(diào)控,通過氮化硼封裝技術(shù)將量子點(diǎn)尺寸縮小至 68 納米。這種器件在極低溫下表現(xiàn)出優(yōu)異的庫倫阻塞效應(yīng),為自旋 - 能谷耦合的量子調(diào)控奠定了基礎(chǔ)。
新型二維材料 NbOCl2 的突破更為關(guān)鍵。新加坡國立大學(xué)與中國科大合作研發(fā)的超薄量子光源,厚度僅 46 納米,其非線性光學(xué)效應(yīng)強(qiáng)度是傳統(tǒng) WS2 材料的 100 倍。這種材料的層間電子耦合弱且空間結(jié)構(gòu)非對(duì)稱,使得多層堆疊時(shí)二階非線性效應(yīng)得以保留,為片上量子糾纏光源的實(shí)現(xiàn)提供了可能。
在國家科技重大專項(xiàng)支持下,我國已形成從材料研發(fā)到器件制備的完整技術(shù)鏈。合肥量子科技省建設(shè)的超導(dǎo)量子芯片產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)了 72 比特 “悟空芯” 的自主量產(chǎn),其單比特門保真度達(dá)到 99.97%。中科院微電子所開發(fā)的二維材料異質(zhì)結(jié)工藝,可在 28 納米節(jié)點(diǎn)上集成拓?fù)淞孔颖忍?,為量?- 經(jīng)典融合計(jì)算提供了硬件基礎(chǔ)。
產(chǎn)業(yè)層面,本源量子推出的第三代超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī) “本源悟空”,搭載自主研發(fā)的量子操作系統(tǒng),支持 200 個(gè)量子線路的并行執(zhí)行。該系統(tǒng)在金融風(fēng)控、藥物設(shè)計(jì)等領(lǐng)域的應(yīng)用,已實(shí)現(xiàn)經(jīng)典算法 10 倍以上的加速比。
量子計(jì)算的實(shí)用化離不開與經(jīng)典計(jì)算的深度融合。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)開發(fā)的 Runtime 模式,通過量子 - 經(jīng)典協(xié)同架構(gòu)將計(jì)算效率提升 30%。這種模式下,經(jīng)典計(jì)算機(jī)負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)預(yù)處理與結(jié)果后處理,量子計(jì)算機(jī)專注于并行優(yōu)化,在材料模擬、密碼破譯等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
未來五年,隨著拓?fù)淞孔颖忍?、二維半導(dǎo)體器件等技術(shù)的成熟,量子計(jì)算將進(jìn)入 “糾錯(cuò)量子時(shí)代”。國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃布局的量子 - 經(jīng)典混合架構(gòu),預(yù)計(jì)在 2030 年前實(shí)現(xiàn)百萬邏輯量子比特的規(guī)模,推動(dòng)量子計(jì)算從實(shí)驗(yàn)室走向工業(yè)級(jí)應(yīng)用。
從拓?fù)浣^緣體到二維半導(dǎo)體,材料科學(xué)的每一次突破都在重塑量子計(jì)算的物理極限。我國在該領(lǐng)域的持續(xù)投入,已形成 “基礎(chǔ)研究 - 技術(shù)攻關(guān) - 產(chǎn)業(yè)應(yīng)用” 的完整生態(tài)。這場(chǎng)由材料創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的量子革命,不僅關(guān)乎算力的提升,更將為人工智能、能源存儲(chǔ)、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域帶來范式變革。正如拓?fù)淞孔颖忍氐陌l(fā)現(xiàn)者張首晟所言:“材料科學(xué)是打開量子計(jì)算黑箱的鑰匙?!?當(dāng)我們?cè)诙S原子層間構(gòu)建量子比特,在拓?fù)浔砻鎽B(tài)中實(shí)現(xiàn)信息操控,人類正以前所未有的精度探索微觀世界的終極規(guī)律。